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碳化硅样品

中国科学院上海硅酸盐研究所-无机材料力学性能表征课题组 ...

碳纤维、碳化硅纤维、氧化铝纤维等无机纤维的密度和线密度、上浆剂含量、直径与横截面积上浆剂含量：样品不少于 2g 密度和线密度：长度不少于 3m 中国科学院上海硅酸盐研究所-无机材料力学性能表征课题组 ...碳纤维、碳化硅纤维、氧化铝纤维等无机纤维的密度和线密度、上浆剂含量、直径与横截面积上浆剂含量：样品不少于 2g 密度和线密度：长度不少于 3m

碳化硅外延层厚度及其均匀性的无损检测——红外显微系统 ...

2024年2月23日碳化硅外延厚度测定原理. 在硅同质/异质外延生产中，红外傅立叶变换光谱技术（FTIR）是测试硅外延层厚度一种非常成熟的方法，具有准确、快速、无损等优碳化硅外延层厚度及其均匀性的无损检测——红外显微系统 ...2024年2月23日碳化硅外延厚度测定原理. 在硅同质/异质外延生产中，红外傅立叶变换光谱技术（FTIR）是测试硅外延层厚度一种非常成熟的方法，具有准确、快速、无损等优

碳化硅检测项目及相关标准和方法磨料金属氧化镁二氧化硅 ...

2024年3月20日碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系碳化硅检测项目及相关标准和方法磨料金属氧化镁二氧化硅 ...2024年3月20日碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系

碳化硅-碳化硅成分分析国家标准样品-济南众标科技有限公司

2023年4月26日国家编号：GSB08-3221-2014-2 样品编号：ZBN431 样品名称：碳化硅 SiC 90.86 Fe 2 O 3 1.12 CF 3.48 SiF 0.24 SiO 2 2 Al 2 O 3 0.77 CaO 0.47 MgO 0.039 碳化硅-碳化硅成分分析国家标准样品-济南众标科技有限公司2023年4月26日国家编号：GSB08-3221-2014-2 样品编号：ZBN431 样品名称：碳化硅 SiC 90.86 Fe 2 O 3 1.12 CF 3.48 SiF 0.24 SiO 2 2 Al 2 O 3 0.77 CaO 0.47 MgO 0.039

国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先

2022年4月24日摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由于碳化硅为强共价键化合物，且具有低的扩散国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先 2022年4月24日摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由于碳化硅为强共价键化合物，且具有低的扩散

碳化硅光学材料亚表面缺陷的光热辐射检测研究

2022年11月11日碳化硅以优异的物理性能和良好的工艺性能,逐渐成为大型空间成像光学系统主镜的首选轻量化光学材料。碳化硅镜坯制备及加工过程中引入的亚表面缺陷会严重影碳化硅光学材料亚表面缺陷的光热辐射检测研究2022年11月11日碳化硅以优异的物理性能和良好的工艺性能,逐渐成为大型空间成像光学系统主镜的首选轻量化光学材料。碳化硅镜坯制备及加工过程中引入的亚表面缺陷会严重影

碳化硅中游离碳的分析

碳化硅（SiC）在生产过程中含有游离碳，会对烧结产品的强度等产生不利影响，有必要对游离碳含量进行定量检测。 EMIA-Step采用最新的燃烧气体收集装置—集气装置，短时间碳化硅中游离碳的分析碳化硅（SiC）在生产过程中含有游离碳，会对烧结产品的强度等产生不利影响，有必要对游离碳含量进行定量检测。 EMIA-Step采用最新的燃烧气体收集装置—集气装置，短时间

碳化硅缺陷有望成为器件友好的量子比特

对低温碳化硅样品进行实验,荧光谱中显示出6条尖锐的发射线,波长大约从1035nm到1135nm.其中四个峰,即 PL1—PL4,被证实并不源自NV色心,而是源自双空位缺碳化硅缺陷有望成为器件友好的量子比特对低温碳化硅样品进行实验,荧光谱中显示出6条尖锐的发射线,波长大约从1035nm到1135nm.其中四个峰,即 PL1—PL4,被证实并不源自NV色心,而是源自双空位缺

碳化硅（SiC）MOSFET-碳化硅MOSFET驱动芯片-碳化硅 ...

安森美半导体的碳化硅（SiC）MOSFET的设计坚固耐用。安森美半导体的所有SiC MOSFET均包括经过AEC-Q101认证和PPAP认证的选件，这些选件专门针对汽车和工业应用而设计和认证。通过降低功率损耗，提高功率密度，提高工作频率，提高温度工作效率 ... 碳化硅（SiC）MOSFET-碳化硅MOSFET驱动芯片-碳化硅 ...安森美半导体的碳化硅（SiC）MOSFET的设计坚固耐用。安森美半导体的所有SiC MOSFET均包括经过AEC-Q101认证和PPAP认证的选件，这些选件专门针对汽车和工业应用而设计和认证。通过降低功率损耗，提高功率密度，提高工作频率，提高温度工作效率 ...

碳化硅检测项目及相关标准和方法磨料金属氧化镁二氧化硅 ...

2024年3月20日样品：样品应具备代表性和一致性，能够反映出整批碳化硅的平均成分和性能，并在干燥、清洁、无尘的条件下保存和处理，避免样品污染和变质。方法：方法应选择合适的检测项目和方法，根据实际情况调整检测条件，并严格按照标准或规范执行，并做好记录和标记，避免方法误差和混乱。碳化硅检测项目及相关标准和方法磨料金属氧化镁二氧化硅 ...2024年3月20日样品：样品应具备代表性和一致性，能够反映出整批碳化硅的平均成分和性能，并在干燥、清洁、无尘的条件下保存和处理，避免样品污染和变质。方法：方法应选择合适的检测项目和方法，根据实际情况调整检测条件，并严格按照标准或规范执行，并做好记录和标记，避免方法误差和混乱。

国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先

2022年4月24日常压烧结（Pressureless Sintering，PS）碳化硅在不施加外部压力的情况下，即通常在 1. 01 × 10 5 Pa 压力和惰性气氛条件下，通过添加合适的烧结助剂，在 2 000 ～ 2 150 ℃ 间，可对不同形状和尺寸的国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先 2022年4月24日常压烧结（Pressureless Sintering，PS）碳化硅在不施加外部压力的情况下，即通常在 1. 01 × 10 5 Pa 压力和惰性气氛条件下，通过添加合适的烧结助剂，在 2 000 ～ 2 150 ℃ 间，可对不同形状和尺寸的

升华三维：粉末挤出3D打印推动反应烧结碳化硅应用增长极

2023年11月24日 3D打印碳化硅样品（样品来源：升华三维）目前，大多数3D打印SiC陶瓷方法中打印材料固含量较低、硅含量较高、力学性能较低。如直接墨水书写（DIW）的墨水中的固相含量太低，会导致陶瓷坯体致密度较低；激光打印在烧结过程中产生的热应力 ... 升华三维：粉末挤出3D打印推动反应烧结碳化硅应用增长极2023年11月24日 3D打印碳化硅样品（样品来源：升华三维）目前，大多数3D打印SiC陶瓷方法中打印材料固含量较低、硅含量较高、力学性能较低。如直接墨水书写（DIW）的墨水中的固相含量太低，会导致陶瓷坯体致密度较低；激光打印在烧结过程中产生的热应力 ...

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_

2023年7月14日与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ... 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_2023年7月14日与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ...

中电科55所碳化硅芯片样品流片第三代半导体百亿市场空间可期

2023年4月20日近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导 ... 中电科55所碳化硅芯片样品流片第三代半导体百亿市场空间可期2023年4月20日近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导 ...

知乎专栏

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三菱电机发布J3系列碳化硅和硅功率模块样品-汽车资讯-盖世 ...

2024年1月26日三菱电机发布J3系列碳化硅和硅功率模块样品. 盖世汽车讯 1月23日，三菱电机公司（Mitsubishi Electric）宣布即将发布6款新型J3系列功率半导体模块，用于各类电动汽车（xEVs）。. 新半导体模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）或RC-IGBT（Si ... 三菱电机发布J3系列碳化硅和硅功率模块样品-汽车资讯-盖世 ...2024年1月26日三菱电机发布J3系列碳化硅和硅功率模块样品. 盖世汽车讯 1月23日，三菱电机公司（Mitsubishi Electric）宣布即将发布6款新型J3系列功率半导体模块，用于各类电动汽车（xEVs）。. 新半导体模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）或RC-IGBT（Si ...

碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法

2023年6月12日样品太薄（总厚度小于100 μm）时，会因为额外载流子的产生导致衰减曲线变形，因此该方法不适于厚度小于100 μm的薄样品测试。碳化硅外延厚度小于30 μm时，激光将穿透至碳化硅衬底片，测试结果受到碳化硅衬底非平衡载流子信号影响。 6 仪器设备碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法2023年6月12日样品太薄（总厚度小于100 μm）时，会因为额外载流子的产生导致衰减曲线变形，因此该方法不适于厚度小于100 μm的薄样品测试。碳化硅外延厚度小于30 μm时，激光将穿透至碳化硅衬底片，测试结果受到碳化硅衬底非平衡载流子信号影响。 6 仪器设备

SiC陶瓷常压烧结致密化过程的研究

2017年11月6日下一步可以尝试通过控制不同粒度的粗、细SiC粉体颗粒分布，使SiC陶瓷样品烧结实现致密化，力学性能也可相应提高。. (1)本试验中，在2150 ℃，随着酚醛树脂添加量的增加，材料的致密度提高, 力学性能增强。当酚醛树脂添加量到2wt．%时, 材料的密度最 SiC陶瓷常压烧结致密化过程的研究2017年11月6日下一步可以尝试通过控制不同粒度的粗、细SiC粉体颗粒分布，使SiC陶瓷样品烧结实现致密化，力学性能也可相应提高。. (1)本试验中，在2150 ℃，随着酚醛树脂添加量的增加，材料的致密度提高, 力学性能增强。当酚醛树脂添加量到2wt．%时, 材料的密度最

碳化硅材料吸波性能的研究 - 汉斯出版社

3 天之前碳化硅不仅吸波性能可调，而且具有密度小、耐高温、强度大等特点 [ 2] [ 9 ]，有望实现轻质、薄层等优良特性，因此成为吸波材料领域中研究的重点 [ 10 ]。. 为进一步提升碳化硅材料的吸波性能，通常采用添加其它材料制备复合材料的方法来实现这一点 [ 11 ... 碳化硅材料吸波性能的研究 - 汉斯出版社3 天之前碳化硅不仅吸波性能可调，而且具有密度小、耐高温、强度大等特点 [ 2] [ 9 ]，有望实现轻质、薄层等优良特性，因此成为吸波材料领域中研究的重点 [ 10 ]。. 为进一步提升碳化硅材料的吸波性能，通常采用添加其它材料制备复合材料的方法来实现这一点 [ 11 ...

凝胶注模成型反应烧结碳化硅制备工艺研究 - 百度学术

通过对凝胶注模成型反应烧结碳化硅坯体及烧结试样的性能研究表明:固相含量和单体含量是影响坯体和烧结样品性能的主要因素。在一定范围内,随着单体含量的增加,坯体的弯曲强度也随之增大。凝胶注模成型反应烧结碳化硅制备工艺研究 - 百度学术通过对凝胶注模成型反应烧结碳化硅坯体及烧结试样的性能研究表明:固相含量和单体含量是影响坯体和烧结样品性能的主要因素。在一定范围内,随着单体含量的增加,坯体的弯曲强度也随之增大。

立体光固化 3D 打印成型碳化硅陶瓷的烧结特性

2021年7月15日前驱体溶液进行立体光固化成型后，将成型素坯在氮气气氛下加热至1 000 ℃，成功制得碳化硅样品。但通过前驱体转化制得的碳化硅样品致密度一般不高，难以满足光学反射镜的使用要求，另外陶瓷产率和SiO2、SiOC 杂质等问题也限制了陶瓷前驱体的应用。立体光固化 3D 打印成型碳化硅陶瓷的烧结特性2021年7月15日前驱体溶液进行立体光固化成型后，将成型素坯在氮气气氛下加热至1 000 ℃，成功制得碳化硅样品。但通过前驱体转化制得的碳化硅样品致密度一般不高，难以满足光学反射镜的使用要求，另外陶瓷产率和SiO2、SiOC 杂质等问题也限制了陶瓷前驱体的应用。

碳化硅湿法腐蚀工艺研究、碳化硅（SiC）、法腐蚀工艺

2023年3月7日碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高 ... 电化学腐蚀具有工艺设备简单、样品要求低等优势，适合晶体表面改性，是制备多孔 SiC 的方法之一，多孔 SiC 在光电器件 ... 碳化硅湿法腐蚀工艺研究、碳化硅（SiC）、法腐蚀工艺2023年3月7日碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高 ... 电化学腐蚀具有工艺设备简单、样品要求低等优势，适合晶体表面改性，是制备多孔 SiC 的方法之一，多孔 SiC 在光电器件 ...

碳化硅8英寸时代临近，中国厂商不应错过“早班车”_

2023年7月14日碳化硅产业一向有“得材料者得天下”的说法，几乎所有厂商都希望能锁定优质衬底材料产能，在这一轮产业浪潮中抢占先机。不过，SiC材料生长缓慢并且边缘缺陷较大，从6英寸向8英寸过渡，必将面临更大的提高生产良率的挑战，很难一蹴而就。碳化硅8英寸时代临近，中国厂商不应错过“早班车”_2023年7月14日碳化硅产业一向有“得材料者得天下”的说法，几乎所有厂商都希望能锁定优质衬底材料产能，在这一轮产业浪潮中抢占先机。不过，SiC材料生长缓慢并且边缘缺陷较大，从6英寸向8英寸过渡，必将面临更大的提高生产良率的挑战，很难一蹴而就。

中国科学院上海硅酸盐研究所-无机材料力学性能表征课题组 ...

GB/T 34520.2-2017 《连续碳化硅纤维测试方法第 2 部分：单纤维直径》 GB/T 34520.3-2017 《连续碳化硅纤维测试方法第 3 部分：线密度和密度》单纤维拉伸性能碳纤维、碳化硅纤维、氧化铝纤维等无机纤维的单纤维拉伸强度、拉伸模量、断裂伸长率样品应中国科学院上海硅酸盐研究所-无机材料力学性能表征课题组 ...GB/T 34520.2-2017 《连续碳化硅纤维测试方法第 2 部分：单纤维直径》 GB/T 34520.3-2017 《连续碳化硅纤维测试方法第 3 部分：线密度和密度》单纤维拉伸性能碳纤维、碳化硅纤维、氧化铝纤维等无机纤维的单纤维拉伸强度、拉伸模量、断裂伸长率样品应

激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法应用于碳化硅陶瓷材料的分析

摘要：本论文探索激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法(LA-ICP-MS)在陶瓷分析领域的应用.主要研究了将不同粒径的碳化硅粉末制备成适合激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法分析的片状固体样品的方法,并深入研究了内标与外标结合的定量方法.优化了激光剥蚀和电感耦合等离子体质谱的联机条件和碳化硅 ... 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法应用于碳化硅陶瓷材料的分析摘要：本论文探索激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法(LA-ICP-MS)在陶瓷分析领域的应用.主要研究了将不同粒径的碳化硅粉末制备成适合激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法分析的片状固体样品的方法,并深入研究了内标与外标结合的定量方法.优化了激光剥蚀和电感耦合等离子体质谱的联机条件和碳化硅 ...

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